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參數(shù)資料
型號: BSP41
廠商: DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
英文描述: Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
中文描述: 表面貼裝硅外延PlanarTransistors
文件頁數(shù): 1/4頁
文件大小: 73K
代理商: BSP41
BSP40/41
BSP42/43
MEDIUM POWER AMPLIFIER
ADVANCE DATA
I
SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN
TRANSISTORS
I
MINIATURE PLASTIC PACKAGE FOR
APPLICATION IN SURFACE MOUNTING
CIRCUITS
I
GENERAL PURPOSE MAINLY INTENDED
FOR USE IN MEDIUM POWER INDUSTRIAL
APPLICATION AND FOR AUDIO AMPLIFIER
OUTPUT STAGE
I
PNP COMPLEMENTS ARE BSP30, BSP31,
BSP32 AND BSP33 RESPECTIVELY
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
October 1995
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
BSP40/BSP41
70
60
70
BSP42/BSP43
90
80
90
V
CBO
V
CEO
V
CES
V
EBO
I
C
I
B
P
tot
T
stg
T
j
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Collector-Emitter Voltage (V
BE
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Base Current
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
V
V
V
V
A
A
W
o
C
o
C
5
1
0.1
2
-65 to 150
150
1
2
2
3
SOT-223
1/4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSP43 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BSS44 SILICON PNP TRANSISTOR
BSS44 Small Signal Transistors
BSV52 Small Signal NPN Transistors(小信號NPN晶體管)
BSX32 High-Voltage, High-Current Switch(硅平面外延工藝NPN晶體管(用于高電壓,高電流開關(guān)))
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSP41 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BSP41,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BSP41115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS NPN 60V 1A SOT-223
BSP41T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-223
BSP41TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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