型號: | BSS59 |
元件分類: | TVS-瞬態抑制二極管 |
英文描述: | Transient Voltage Suppressor Diodes |
中文描述: | 晶體管|晶體管|叩| 80V的五(巴西)總裁| 1A條一(c)|到18 |
文件頁數: | 1/1頁 |
文件大小: | 109K |
代理商: | BSS59 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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BSV82 | TRANSISTOR | BJT | PNP | TO-39 |
BSV84 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 70V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-39 |
BSW39 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-39 |
BSW40 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-39 |
BSW51 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-39 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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BSS5AOSAPH | 制造商:Brady Corporation 功能描述: |
BSS606N H6327 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
BSS606NH6327 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
BSS606NH6327XT | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
BSS606NH6327XTSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SMALL SIGNAL N-CH - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET SMALL SIGNAL N-CH |