- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄369502 > BSS62T1 Transient Voltage Suppressor Diodes PDF資料下載
參數資料
| 型號： | BSS62T1 |
| 元件分類： | TVS-瞬態抑制二極管 |
| 英文描述： | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| 中文描述： | 中功率進步黨硅達林頓晶體管表面貼裝 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 52K |
| 代理商： | BSS62T1 |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of September 1994
File under Discrete Semiconductors, SC04
1997 May 14
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BSS61; BSS62
PNP Darlington transistors
M3D111
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSS72S | TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 200A I(C) | TO-18 |
| BSS73CSM | NPN |
| BSS73DCSM | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BSS73 | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18 Metal Package |
| BSS74CSM | TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 500MA I(C) | LLCC |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BSS63 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/ 100V/ 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BSS63 T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BSS63,215 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BSS63_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/ 100V/ 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| bss63215 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR PNP -100V -100MA |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。