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參數(shù)資料
型號: BSS84-7
廠商: DIODES INC
元件分類: 功率晶體管
英文描述: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述: 130 mA, 50 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝: PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù): 1/1頁
文件大小: 92K
代理商: BSS84-7
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PDF描述
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參數(shù)描述
BSS84-7-F 功能描述:MOSFET -50V 250mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSS84-7-F-31 制造商:DIODES 功能描述:P-Channel NPN MOSFET / SOT-23
BSS84AK 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET P CH 50V 0.18A SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, P CH, 50V, 0.18A, SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, P CH, 50V, 0.18A, SOT23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-180mA; Drain Source Voltage Vds:-50V; On Resistance Rds(on):4.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1.6V ;RoHS Compliant: Yes
BSS84AK,215 功能描述:MOSFET P-CH -50 V -180 mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSS84AK-BR 功能描述:MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):50V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):180mA(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.35nC @ 5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):36pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.14W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.5 歐姆 @ 100mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
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