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參數資料
| 型號： | BSV52R |
| 英文描述： | BSV52R - Tranzystor prze潮czaj眂y |
| 中文描述： | BSV52R - Tranzystor prze潮czaj眂輜 |
| 文件頁數： | 1/29頁 |
| 文件大小： | 2179K |
| 代理商： | BSV52R |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| BUP406 | BUP406 - Tranzystor du縠j mocy wysokonapi阠iowy |
| BUP407 | BUP407 - Tranzystor du縠j mocy wysokonapi阠iowy |
| BCAE07 | Cartridge Fuse; Current Rating:4A; Voltage Rating:250V; Fuse Type:Fast Acting; Fuse Size/Group:1/4 x 1-1/4 "; Leaded Process Compatible:No; Body Material:Glass; Diameter:6.35mm; Fuse Terminals:Ferrule; Length:31.75mm |
| BCAE07R | Cartridge Fuse; Current Rating:5A; Voltage Rating:250V; Fuse Type:Fast Acting; Fuse Size/Group:1/4 x 1-1/4 "; Leaded Process Compatible:No; Body Material:Glass; Diameter:6.35mm; Fuse Terminals:Ferrule; Length:31.75mm |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BSV52R-B4 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH SPEED WITCHING TRANSISTOR |
| BSV52RTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BSV52RTC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BSV52T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
| BSV52TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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