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參數資料
型號: BU323P
英文描述: TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 200V V(BR)CEO | 50A I(C) | TO-218
中文描述: 晶體管|晶體管|達林頓| npn型| 200伏五(巴西)總裁| 50A條一(c)|至218
文件頁數: 1/1頁
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代理商: BU323P
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PDF描述
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參數描述
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BU323Z/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN Silicon Power Darlington
BU323Z_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Power Darlington High Voltage Autoprotected
BU323Z_09 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Power Darlington
BU323ZG 功能描述:達林頓晶體管 10A 350V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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