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參數(shù)資料
| 型號： | BU407FI |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220FP |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管| npn型| 150伏五（巴西）總裁| 7A條一（c）|至220FP |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 103K |
| 代理商： | BU407FI |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU407 | NPN POWER TRANSISTOR |
| BU407 | SILICON EPITAXIAL PLANNAR TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION) |
| BU407 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
| BU407 | POWER TRANSISTORS(7A,150-200V,60W) |
| BU407 | NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BU407FTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BU407G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 7A 150V 60W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BU407G-X-TA3-T | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:NPN EXPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| BU407H | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistor |
| BU407HTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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