- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄382871 > BU407FI (意法半導體) Silicon NPN Transistor(硅NPN晶體管) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | BU407FI |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | Silicon NPN Transistor(硅NPN晶體管) |
| 中文描述： | 硅NPN晶體管（硅npn型晶體管） |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 35K |
| 代理商： | BU407FI |
BU407FI
SILICON NPN TRANSISTOR
I
SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE
I
NPN TRANSISTOR
APPLICATIONS
I
HORIZONTAL DEFLECTION FOR COLOUR
TV
DESCRIPTION
The BU407FI is a silicon epitaxial planar NPN
transistorsin ISOWATT220 plasticpackage.
It is a fast switching, high voltage device for use
in horizontal deflection output stages of medium
and small screens MTV receivers with 110
o
CRT
as monochromecomputer terminals.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
June 1997
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CBO
V
CEV
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
CM
I
B
P
tot
T
stg
T
j
Parameter
Value
330
330
150
6
7
10
15
4
25
-65 to 150
150
Unit
V
V
V
V
A
A
A
A
W
o
C
o
C
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (V
BE
= -1.5 V)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current (repetitive)
Collector Peak Current (t
p
= 10 ms)
Base Current
Total Dissipation at T
c
≤
25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
1
2
3
ISOWATT220
1/4
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU505 | High Voltage NPN Multiepitaxial Fast-Switching Transistor(高壓快速開關NPN晶體管) |
| BU806FI | Medium Voltage NPN Fast Switching Darlington Transistor(NPN快速開關達林頓晶體管) |
| BU806 | Medium Voltage NPN Fast Switching Darlington Transistor(NPN快速開關達林頓晶體管) |
| BU807 | Medium Voltage NPN Fast Switching Darlington Transistor(NPN快速開關達林頓晶體管) |
| BU810 | Medium Voltage NPN Fast-Switching Darlington Transistor(快速開關達林頓晶體管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BU407FTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BU407G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 7A 150V 60W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BU407G-X-TA3-T | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:NPN EXPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| BU407H | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistor |
| BU407HTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。