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參數資料
| 型號： | BU508AF |
| 廠商： | Continental Device India Limited |
| 英文描述： | NPN POWER TRANSISTORS |
| 中文描述： | NPN電源晶體管 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 324K |
| 代理商： | BU508AF |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU508DF | NPN POWER TRANSISTORS |
| BU508 | POWER TRANSISTORS(5A,1500V,125W) |
| BU508A | POWER TRANSISTORS(5A,1500V,125W) |
| BU508D | POWER TRANSISTORS(5A,1500V,125W) |
| BU508AF | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴散功率型晶體管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BU508AF | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-199 |
| BU508AF/B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR HOCHSPANNUNG BIPOLAR |
| BU508AF_0708 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:High voltage NPN power transistor for standard definition CRT display |
| BU508AFI | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BU508AFTBTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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