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參數資料
型號: BU508D
廠商: 永盛國際集團
英文描述: SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION)
中文描述: 擴散硅功率晶體管(一般)的說明
文件頁數: 1/8頁
文件大小: 96K
代理商: BU508D
BU208D/508D/508DFI
HIGH VOLTAGE FASTSWITCHING NPN
POWER TRANSISTOR
I
SGS-THOMSONPREFERRED SALESTYPES
I
HIGH VOLTAGECAPABILITY
I
U.L. RECOGNISED ISOWATT218 PACKAGE
(U.L. FILE # E81734(N)
I
JEDEC TO-3 METALCASE
I
NPN TRANSISTOR WITH INTEGRATED
FREEWHEELINGDIODE
APPLICATIONS:
I
HORIZONTAL DEFLECTION FOR COLOUR
TV
DESCRIPTION
The BU208D, BU508D and BU508DFI are
manufactured
using
technology for cost-effective high performance
and uses a Hollow Emitter structure to enhance
switching speeds.
Multiepitaxial
Mesa
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
June 1996
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CES
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
Parameter
Value
1500
700
10
8
15
Unit
V
V
V
A
A
Collector-Emitter Voltage (V
BE
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current (t
p
< 5 ms)
TO - 3
150
-65 to 150 -65 to 150
150
TO - 218
125
ISOWATT218
50
-65 to 150
150
P
tot
T
stg
T
j
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
W
o
C
o
C
150
1
2
3
TO-218
ISOWATT218
1
2
3
1
2
TO-3
1/8
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