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參數資料
| 型號： | BUK625R2-30C |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS intermediate level FET |
| 中文描述： | POWER, FET |
| 封裝： | PLASTIC, DPAK, SC-63, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/14頁 |
| 文件大小： | 172K |
| 代理商： | BUK625R2-30C |
1.
Product profile
1.1 General description
Intermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET)
in a plastic package using advanced TrenchMOS technology. This product has been
designed and qualified to the appropriate AEC Q101 standard for use in high performance
automotive applications.
1.2 Features and benefits
AEC Q101 compliant
Suitable for standard and logic level
gate drive sources
Suitable for thermally demanding
environments due to 175 °C rating
1.3 Applications
12 V Automotive systems
Electric and electro-hydraulic power
steering
Motors, lamps and solenoid control
Start-Stop micro-hybrid applications
Transmission control
Ultra high performance power
switching
1.4 Quick reference data
Table 1.
Symbol
V
DS
I
D
BUK625R2-30C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Rev. 1 — 12 July 2011
Product data sheet
DA
Quick reference data
Parameter
drain-source voltage
drain current
Conditions
T
j
≥
25 °C; T
j
≤
175 °C
V
GS
= 10 V; T
mb
= 25 °C;
see
Figure 1
T
mb
= 25 °C; see
Figure 2
Min
-
-
Typ
-
-
Max
30
90
Unit
V
A
[1]
P
tot
Static characteristics
R
DSon
total power dissipation
-
-
128
W
drain-source on-state
resistance
V
GS
= 10 V; I
D
= 15 A;
T
j
= 25 °C; see
Figure 11
-
4.4
5.2
m
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK626R2-40C | N-channel TrenchMOS intermediate level FET |
| BUK6507-55C | N-channel TrenchMOS logic and standard level FET |
| BUK6507-75C | N-channel TrenchMOS FET |
| BUK6510-75C | N-channel TrenchMOS FET |
| BUK652R0-30C | N-channel TrenchMOS intermediate level FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BUK625R2-30C,118 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 90A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:* 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| BUK626R2-40C,118 | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 90A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:* 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| BUK627-400A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
| BUK627-400B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
| BUK627-450B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
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