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參數資料
| 型號： | BUK638-800A |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | PowerMOS transistor Fast recovery diode FET |
| 中文描述： | PowerMOS晶體管快速恢復二極管場效應管 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 174K |
| 代理商： | BUK638-800A |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK638-800B | PowerMOS transistor Fast recovery diode FET |
| BUK7504-40A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB |
| BUK7509-75 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB |
| BUK7509-75A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB |
| BUK7514-60 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 68A I(D) | TO-220AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BUK638-800B | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Fast recovery diode FET |
| BUK6507-55C | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Tube 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH55V72ASOT78 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,55V,72A,SOT78 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,55V,72A,SOT78; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):5.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.3V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| BUK6507-55C,127 | 功能描述:MOSFET N-CHAN 55V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK6507-75C | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH75V72ASOT78 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,75V,72A,SOT78 |
| BUK6507-75C,127 | 功能描述:MOSFET N-CHAN 75V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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