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參數資料
| 型號： | BUK9509-55A |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS logic level FET |
| 中文描述： | 75 A, 55 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC, SC-46, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/14頁 |
| 文件大小： | 313K |
| 代理商： | BUK9509-55A |
BUK95/9609-55A
TrenchMOS logic level FET
Rev. 01 — 21 February 2002
Product data
1.
Description
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using
TrenchMOS technology, featuring very low on-state resistance.
Product availability:
BUK9509-55A in SOT78 (TO-220AB)
BUK9609-55A in SOT404 (D
2
-PAK).
2.
Features
I
TrenchMOS technology
I
Q101 compliant
I
175
°
C rated
I
Logic level compatible.
3.
Applications
I
Automotive and general purpose power switching:
N
12 V and 24 V loads
N
Motors, lamps and solenoids.
4.
Pinning information
[1]
It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package.
Table 1:
Pin
Pinning - SOT78 and SOT404, simplified outline and symbol
Description
Simplified outline
Symbol
1
gate (g)
SOT78 (TO-220AB)
SOT404 (D
2
-PAK)
2
drain (d)
[1]
3
source (s)
mb
mounting base;
connected to drain (d)
MBK106
1 2
mb
3
1
3
2
MBK116
mb
s
d
g
MBB076
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK9635-55 | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| BUK9775-55 | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| BUW11AF | Silicon diffused power transistors |
| BUW11F | Silicon diffused power transistors |
| BUW11AW | Silicon diffused power transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BUK9509-55A,127 | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK9509-75A | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK9509-75A,127 | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK9510-100B | 功能描述:MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK9510-100B,127 | 功能描述:MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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