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參數資料
| 型號： | BUL1603ED |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
| 中文描述： | 高壓快速開關NPN電源晶體管 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 186K |
| 代理商： | BUL1603ED |
BUL1603ED
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING
NPN POWER TRANSISTOR
PRELIMINARY DATA
I
INTEGRATED ANTISATURATION AND
PROTECTION NETWORK
I
INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR
EMITTER DIODE
I
HIGH VOLTAGE CAPABILITY
I
LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS
I
MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR
RELIABLE OPERATION
I
VERY HIGH SWITCHING SPEED
I
ARCING TEST SELF PROTECTED
APPLICATIONS
I
TWO LAMPS ELECTRONIC BALLAST FOR
FLUORESCENT LIGHTING 277 V
AC
IN
PUSH-PULL CONFIGURATION
DESCRIPTION
The BUL1603ED is a new device designed for
fluorescent electronic ballast 277 V
AC
push-pull
applications.
This device can be used without baker clamp and
transil protection, reducing greatly the component
count.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
September 2002
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CES
Parameter
Value
1600
Unit
V
Collector-Emitter Voltage
(V
BE
= 0; I
CES
= 10 mA; )
Collector-Emitter Voltage
(V
BE
= 0; I
CES
= 100
μ
A; )
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current (t
p
<5 ms)
Base Current
Base Peak Current (t
p
<5 ms)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
V
CES
1550
V
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
650
11
3
6
2
4
80
V
V
A
A
A
A
W
o
C
o
C
-65 to 150
150
1
2
3
TO-220
1/6
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| BUL213 | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
| BUL216 | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
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| BUL310 | High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistors(高壓快速NPN功率晶體管) |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BUL1604ED | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PWR BIP/S.SIGNAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUL213 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUL213_03 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
| BUL216 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUL216_01 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
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