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參數資料
| 型號： | BUL39 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
| 中文描述： | 高壓快速開關NPN電源晶體管 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 185K |
| 代理商： | BUL39 |
BUL39D
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING
NPN POWER TRANSISTOR
I
NPN TRANSISTOR
I
HIGH VOLTAGE CAPABILITY
I
MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR
RELIABLE OPERATION
I
VERY HIGH SWITCHING SPEED
I
HIGH RUGGEDNESS
APPLICATIONS
I
ELECTRONIC TRANSFORMERS FOR
HALOGEN LAMPS
I
SWITCH MODE POWER SUPPLIES
DESCRIPTION
The BUL39D is manufactured using high voltage
Multi Epitaxial Planar technology to enhance
switching speeds while maintaining wide RBSOA.
The BUL series is designed for use in electronics
transformers for halogen lamps.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
June 1998
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CES
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
Parameter
Value
850
450
9
4
8
2
4
70
-65 to 150
150
Unit
V
V
V
A
A
A
A
W
o
C
o
C
Collector-Emitter Voltage (V
BE
= 0)
Collector-Emitter Voltage (IB = 0)
Emitter-Base Voltage (IC = 0)
Collector Current
Collector Peak Current (t
p
<5 ms)
Base Current
Base Peak Current (t
p
<5 ms)
Total Dissipation at Tc = 25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
1
2
3
TO-220
1/6
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUL3N7 | MEDIUM VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
| BUL3P5 | MEDIUM VOLTAGE FAST-SWITCHING PNP POWER TRANSISTOR |
| BUL416B | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
| BUL49D | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
| BUL510 | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BUL39D | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUL39D_01 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
| BUL3N7 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT MEDIUM Vltg PNP Pwr TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUL3P5 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT MEDIUM Vltg PNP Pwr TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUL410 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB |
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