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參數資料
| 型號： | BUT11AFI |
| 元件分類： | 8位微控制器 |
| 英文描述： | 8-bit MCU for automotive with 16 to 60 Kbyte Flash, ADC, CSS, 5 timers, SPI, SCI, I2C interface |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 450V五（巴西）總裁| 5A條一（c）|至220 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 226K |
| 代理商： | BUT11AFI |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUT11A | Silicon diffused power transistors |
| BUT11APX | Silicon Diffused Power Transistor |
| BUT11FI | 8-bit MCU for automotive with 16 to 60 Kbyte Flash, ADC, CSS, 5 timers, SPI, SCI, I2C interface |
| BUT11 | NPN SILICON TRANSISTOR(HIGH VOLTAGE POWER SWITCHING APPLICATIONS) |
| BUT11 | NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BUT11AFTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUT11AI | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
| BUT11AI,127 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BUT11AI/SOT78/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUT11APX | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUT11APX,127 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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