型號: | BUT12A |
廠商: | 永盛國際集團 |
英文描述: | SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION) |
中文描述: | 擴散硅功率晶體管(一般)的說明 |
文件頁數: | 1/1頁 |
文件大小: | 65K |
代理商: | BUT12A |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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BUT56A | POWER TRANSISTORS |
BUT72 | NPN MULTI-EPITAXIAL POWER TRANSISTOR |
BUV22 | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
BUT91 | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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BUT12A/B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR HOCHSPANNUNG BIPOLAR |
BUT12AF | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon diffused power transistors |
BUT12AI | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
BUT12AI,127 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BUT12AI/SOT78/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BUT12ATU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |