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參數資料
| 型號： | BUT12AF |
| 廠商： | 永盛國際集團 |
| 英文描述： | SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION) |
| 中文描述： | 擴散硅功率晶體管（一般）的說明 |
| 文件頁數： | 1/12頁 |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | BUT12AF |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of February 1996
File under Discrete Semiconductors, SC06
1997 Aug 13
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BUT12F; BUT12AF
Silicon diffused power transistors
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUT14 | 8-bit MCU for automotive with 16 to 60 Kbyte Flash, ADC, CSS, 5 timers, SPI, SCI, I2C interface |
| BUT15 | 8-bit MCU for automotive with 16 to 60 Kbyte Flash, ADC, CSS, 5 timers, SPI, SCI, I2C interface |
| BUT230F | 8-bit MCU for automotive with 16 to 60 Kbyte Flash, ADC, CSS, 5 timers, SPI, SCI, I2C interface |
| BUT230V | 8-bit MCU for automotive with 16 to 60 Kbyte Flash, ADC, CSS, 5 timers, SPI, SCI, I2C interface |
| BUT232F | 8-bit MCU for automotive with 16 to 60 Kbyte Flash, ADC, CSS, 5 timers, SPI, SCI, I2C interface |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| BUT12ATU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUT12AX | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
| BUT12AX,127 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BUT12AX/SOT186A/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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