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參數(shù)資料
型號(hào): BUV51
廠商: SEMELAB LTD
元件分類: 功率晶體管
英文描述: S12 MARLIN2 128K FLASH
中文描述: 20 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
封裝: HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN
文件頁數(shù): 1/1頁
文件大小: 11K
代理商: BUV51
BUY39
Bipolar NPN Device.
V
CEO
= 80V
I
C
= 5A
All Semelab hermetically sealed products
can be processed in accordance with the
requirements of BS, CECC and JAN,
JANTX, JANTXV and JANS specifications.
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
V
CEO
*
80
V
I
C(CONT)
5
A
h
FE
@ 2/1 (V
CE
/ I
C
)
40
240
-
f
t
40M
Hz
P
D
2
W
* Maximum Working Voltage
This is a shortform datasheet. For a full datasheet please contact
sales@semelab.co.uk
.
Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed
to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.
Generated
31-Jul-02
TO3 (TO204AA)
PINOUTS
1 – Base
2 – Emitter
Case - Collector
Bipolar NPN Device in a
Hermetically sealed TO3
Metal Package.
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
Dimensions in mm (inches).
1
2
3
(case)
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
3
3
2
3
1
1
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
0
1
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
2
(
m
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUX15 10AWG BLACK 105X30 PVC600V 105
BUY40 TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | STR-10
BUY18S Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package
BUW81 Bipolar NPN Device
BUW81A 16BIT,256K FLASH,16K RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUV52 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 30A I(C) | TO-3
BUV52A 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:FAST SWITCHING POWER TRANSISTOR
BUV56 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 850V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220
BUV60 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device
BUV61 功能描述:兩極晶體管 - BJT Hi Pwr NPN Silicon Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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