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參數資料
| 型號： | BUV94 |
| 英文描述： | RDS/RBDS processor |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 400V五（巴西）總裁|甲一（c）|至202 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 232K |
| 代理商： | BUV94 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUV95 | RDS/RBDS processor |
| BDY55X | VARISTOR,METAL-OXIDE*50VAC*68VDC*RADIAL*14MM DIA. |
| BDY58B | TRANSISTOR | BJT | NPN | 125V V(BR)CEO | 25A I(C) | TO-3 |
| BDY58C | NPN |
| BDY76 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-3 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BUV95 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-202 |
| BUV98AF | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | INDEPENDENT | 450V V(BR)CEO | 30A I(C) |
| BUV98AV | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Power Module RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUV98AV_03 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:NPN TRANSISTOR POWER MODULE |
| BUV98F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | INDEPENDENT | 450V V(BR)CEO | 30A I(C) |
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