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參數資料
| 型號： | BUX86P |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴散功率型晶體管) |
| 中文描述： | 0.5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-82, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | BUX86P |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUX86P
BUX87P
GENERAL DESCRIPTION
High voltage, high speed glass passivated npn power transistors in a SOT82 envelope intended for use in
converters, inverters, switching regulators, motor control systems and switching applications.
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
TYP.
BUX
-
-
-
-
-
-
0.28
MAX.
UNIT
86P
800
400
87P
1000
450
V
CESM
V
CEO
V
CESAT
I
C
I
CM
P
tot
t
f
Collector-emitter voltage peak value
Collector-emitter voltage (open base)
Collector-emitter saturation voltage
Collector current (DC)
Collector current peak value
Total power dissipation
Fall time
V
BE
= 0 V
V
V
V
A
A
W
μ
s
I
C
= 0.2 A; I
B
= 20 mA
1
0.5
1
42
-
T
mb
≤
25 C
I
C
B(on)
= 20 mA
PINNING - SOT82
PIN CONFIGURATION
SYMBOL
PIN
DESCRIPTION
1
emitter
2
collector
3
base
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134)
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
BUX
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
MAX.
UNIT
86P
800
400
87P
1000
450
V
CESM
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
-I
BM
P
tot
T
stg
T
j
Collector-emitter voltage peak value
Collector-emitter voltage (open base)
Emitter-base voltage (open collector)
Collector current (DC)
Collector current (peak value) t
p
= 2 ms
Base current (DC)
Base current (peak value)
Reverse base current (peak value)
1
Total power dissipation
Storage temperature
Junction temperature
V
BE
= 0 V
V
V
V
A
A
A
A
A
W
C
C
5
0.5
1
0.2
0.3
0.3
42
150
150
T
mb
≤
25 C
1
2
3
b
c
e
1
Turn-off current.
November 1995
1
Rev 1.100
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUX87P | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴散功率型晶體管) |
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參數描述 |
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