- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄382873 > BUX87 (意法半導體) High Voltage Silicon Power Transistor(高電壓硅功率晶體管) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | BUX87 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | High Voltage Silicon Power Transistor(高電壓硅功率晶體管) |
| 中文描述： | 高壓硅功率晶體管（高電壓硅功率晶體管） |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 74K |
| 代理商： | BUX87 |
BUX87
HIGH VOLTAGE SILICON POWER TRANSISTOR
I
SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE
I
NPN TRANSISTOR
I
HIGH VOLTAGECAPABILITY (450V V
CEO
)
I
MINIMUMLOT-TO-LOT SPREAD FOR
RELIABLEOPERATION
I
HIGH DCCURRENT GAIN
APPLICATIONS
I
FLYBACKAND FORWARD SINGLE
TRANSISTOR LOWPOWER CONVERTERS
DESCRIPTION
The BUX87 is manufactured using High Voltage
Multi
Epitaxial
Planar
switching speeds and high voltage withstand
capability.
technology
for
high
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
June 1997
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CES
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
Parameter
Value
1000
450
5
0.5
1
0.3
0.6
40
-65 to 150
150
Unit
V
V
V
A
A
A
A
W
o
C
o
C
Collector-Emitter Voltage (V
BE
= -1.5V)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current (t
p
< 5 ms)
Base Current
Base Peak Current (t
p
< 5 ms)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
3
21
SOT-32
1/3
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUX98AP | High Power NPN Silicon Transistor(高功率NPN硅晶體管) |
| BUX98C | HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR |
| BUXD87T | HIGH VOLTAGE NPN POWER TRANSISTOR |
| BUXD87 | HIGH VOLTAGE NPN POWER TRANSISTOR |
| BUXD87DPAK | HIGH VOLTAGE NPN POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BUX87-1100 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
| BUX87D1 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:PWR XISTOR DIE/WAFER |
| BUX87D1(IW34) | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:High voltage silicon power transistor |
| BUX87P | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-82 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:NPN power transistor,BUX87P 0.5A |
| BUX87P,127 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BUX87P/SOT82/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。