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參數資料
| 型號： | BUZ11A |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-Channel 50V-0.045Ω-26A -TO-220 STripFETTM Power MOSFET(功率MOSFET) |
| 中文描述： | N溝道50V -0.045Ω- 26A條至220 STripFETTM功率MOSFET（功率MOSFET的） |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 48K |
| 代理商： | BUZ11A |
BUZ11A
N - CHANNEL 50V - 0.045
- 26A -TO-220
STripFET
POWER MOSFET
I
TYPICAL R
DS(on)
= 0.045
I
AVALANCHERUGGED TECHNOLOGY
I
100% AVALANCHE TESTED
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
I
175
o
C OPERATING TEMPERATURE
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEEDSWITCHING
I
SOLENOID ANDRELAY DRIVERS
I
REGULATORS
I
DC-DC & DC-AC CONVERTERS
I
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS
I
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,
ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
August 1998
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
50
V
V
DGR
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
50
V
V
GS
±
20
V
I
D
26
A
I
DM
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
104
A
P
tot
75
W
o
C
o
C
T
stg
Storage Temperature
-65 to 175
T
j
Max. Operating Junction Temperature
175
DIN HUMIDITY CATEGORY (DIN 40040)
E
IEC CLIMATIC CATEGORY (DIN IEC 68-1)
First digitof the datecode being Z or K identifies silicon characterized in thisdatasheet.
55/150/56
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
< 0.055
I
D
BUZ11A
50 V
26 A
1
2
3
TO-220
1/6
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BX2606LNL | BROADBAND ACCESS: xDSL, HPN, CMCs |
| BX1196L | BROADBAND ACCESS: xDSL, HPN, CMCs |
| BX2128 | BROADBAND ACCESS: xDSL, HPN, CMCs |
| BX2243H | BROADBAND ACCESS: xDSL, HPN, CMCs |
| BX2274J | BROADBAND ACCESS: xDSL, HPN, CMCs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BUZ11ACHIP | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 25A I(D) | CHIP |
| BUZ11AL | 制造商:Siemens 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220AB |
| BUZ11CHIP | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 30A I(D) | CHIP |
| BUZ11FI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-220VAR |
| BUZ11-NR4941 | 功能描述:MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:30A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2000pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:75W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:40 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220-3 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:800 |
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