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參數資料
型號: BUZ80
廠商: 意法半導體
英文描述: N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強模式功率MOSFET)
中文描述: N溝道增強模式功率MOS晶體管(不適用溝道增強模式功率MOSFET的)
文件頁數: 1/10頁
文件大小: 200K
代理商: BUZ80
BUZ80
BUZ80FI
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOS TRANSISTOR
I
TYPICAL R
DS(on)
= 3.3
I
AVALANCHE RUGGEDNESS TECHNOLOGY
I
100% AVALANCHE TESTED
I
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100
o
C
I
LOW INPUT CAPACITANCE
I
LOW GATE CHARGE
I
APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
I
SWITCH MODE POWERSUPPLIES (SMPS)
I
CONSUMER AND INDUSTRIAL LIGHTING
I
DC-AC INVERTERS FOR WELDING
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE
POWER SUPPLY (UPS)
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
< 4
< 4
I
D
BUZ80
BUZ80FI
800 V
800 V
3.4 A
2.1 A
1
2
3
TO-220
ISOWATT220
November 1996
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
BUZ80
BUZ80FI
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
800
V
V
DGR
800
V
V
GS
±
20
V
I
D
3.4
2.1
A
I
D
2.1
1.3
A
I
DM
(
)
P
tot
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
13
13
A
100
40
W
Derating Factor
0.8
0.32
W/
o
C
V
ISO
Insulation Withstand Voltage (DC)
2000
V
o
C
o
C
T
stg
Storage Temperature
-65 to 150
T
j
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulsewidth limited by safe operating area
150
1
2
3
1/10
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PDF描述
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參數描述
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