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參數資料
| 型號： | BYM26G/31113 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 2.4 A, 1400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件頁數： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 293K |
| 代理商： | BYM26G/31113 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BYM26G/31133 | 2.4 A, 1400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| BYM26G/33112 | 2.4 A, 1400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| BYM26G/50113 | 2.4 A, 1400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| BYM26G/50133 | 2.4 A, 1400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| BYV28-600/22112 | 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BYM26SERIES | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Fast soft-recovery controlled avalanche rectifiers |
| BYM300A120DN2 | 功能描述:分立半導體模塊 1200V 300A F/DIODE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| BYM300A120DN2HOSA1 | 功能描述:MOD IGBT MED POWER 62MM-2 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:- 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:450A 功率 - 最大值:1000W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:- 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:10 |
| BYM300A160DN13C_E3222 | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BYM300A170DN2 | 功能描述:分立半導體模塊 1700V 300A F/DIODE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
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