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參數資料
| 型號： | BYV28-200/31112 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 3.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 221K |
| 代理商： | BYV28-200/31112 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BYV28-200/31113 | 3.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| BYV28-200/33133 | 3.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| BYV28-200/41113 | 3.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| BYV28-200/50112 | 3.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| BYV28-50/20133 | 3.5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BYV28-200-E3/54 | 功能描述:整流器 2.0 Amp 200 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| BYV28-200-RAS15-10 | 功能描述:Diode Avalanche 200V 3.5A Through Hole SOD-64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:雪崩 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:3.5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 5A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SOD-64，軸向 供應商器件封裝:SOD-64 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:2,000 |
| BYV28-200-TAP | 功能描述:整流器 3.5 Amp 200 Volt 90 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| BYV28-200-TR | 功能描述:整流器 3.5 Amp 200 Volt 90 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| BYV28-2GE | 制造商:GULFSEMI 制造商全稱:Gulf Semiconductor 功能描述:GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAFAST EFFICIENT SILICON RECTIFIER VOLTAGE:600V CURRENT:3.5A |
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