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參數資料
| 型號： | BYV29FX-600 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Enhanced ultrafast power diode |
| 中文描述： | 9 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220, FULL PACK-2 |
| 文件頁數： | 1/11頁 |
| 文件大小： | 308K |
| 代理商： | BYV29FX-600 |
1.
Product profile
1.1 General description
Enhanced ultrafast power diode in a SOD113 (2-lead TO-220F) plastic package.
1.2 Features and benefits
High thermal cycling performance
Isolated package
Low on-state losses
Low thermal resistance
Soft recovery characteristic
1.3 Applications
Dual Mode (DCM and CCM) PFC
Power Factor Correction (PFC) for
Interleaved Topology
1.4 Quick reference data
Table 1.
Symbol
V
RRM
BYV29FX-600
Enhanced ultrafast power diode
Rev. 04 — 7 March 2011
Product data sheet
T-2F
Quick reference data
Parameter
repetitive peak
reverse voltage
average forward
current
Conditions
Min
-
Typ
-
Max
600
Unit
V
I
F(AV)
square-wave pulse;
δ
= 0.5 ;
T
h
≤
72 °C;
see
Figure 1
; see
Figure 2
-
-
9
A
Static characteristics
V
F
forward voltage
I
F
= 8 A; T
j
= 25 °C;
see
Figure 5
I
F
= 8 A; T
j
= 150 °C;
see
Figure 5
-
1.45
1.9
V
-
1.25
1.7
V
Dynamic characteristics
t
rr
reverse recovery
time
I
F
= 1 A; V
R
= 30 V;
dI
F
/dt = 100 A/μs; T
j
= 25 °C;
see
Figure 6
-
17.5
35
ns
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BYV29G-600 | Ultrafast power diode |
| BYV29X-500 | Ultrafast power diode |
| BYV29X-600 | Ultrafast power diode |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| BYV29FX-600127 | 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BYV29G-600 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE REC UFAST 600V 9A SOT226A 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, REC, UFAST, 600V, 9A, SOT226A 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, REC, UFAST, 600V, 9A, SOT226A, Diode Type:Fast Recovery, Diode Configuration:Single, Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:600V, Forward Current If(AV):9A, Forward Voltage VF Max:1.25V, Reverse Recovery Time trr Max:60ns, MSL:- , RoHS Compliant: Yes |
| BYV29G-600,127 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關 600V 9A Diode Fast Recovery Rect RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| BYV29G-600PQ | 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 9A I2PAK 制造商:ween semiconductors 系列:- 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:9A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.3V @ 8A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK（TO-262） 工作溫度 - 結:175°C（最大） 標準包裝:1,000 |
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