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參數資料
| 型號： | BYV32EB-200 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Dual ultrafast power diode |
| 封裝： | BYV32EB-200<SOT404 (D2PAK)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT404.html<1<week 1, 2005,; |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 134K |
| 代理商： | BYV32EB-200 |
BYV32EB-200
Dual rugged ultrafast rectifier diode, 20 A, 200 V
Rev. 04 — 2 March 2009
Product data sheet
1.
Product profile
1.1 General description
Ultrafast dual epitaxial rectifier diode in a SOT404 (D2PAK) surface-mountable plastic
package.
1.2 Features and benefits
High reverse voltage surge capability
High thermal cycling performance
Low thermal resistance
Soft recovery characteristic minimizes
power consuming oscillations
Surface-mountable package
Very low on-state loss
1.3 Applications
Output rectifiers in high-frequency
switched-mode power supplies
1.4 Quick reference data
Table 1.
Symbol
V
RRM
I
O(AV)
Quick reference
Parameter
repetitive peak reverse voltage
average output current
Conditions
Min
-
-
Typ
-
-
Max
200
20
Unit
V
A
square-wave pulse;
δ
= 0.5;
T
mb
≤
115 °C; both diodes conducting;
see
Figure 1
; see
Figure 2
I
RRM
V
ESD
Dynamic characteristics
t
rr
reverse recovery time
repetitive peak reverse current t
p
= 2 μs;
δ
= 0.001
electrostatic discharge voltage HBM; C = 250 pF; R = 1.5 k
; all pins
-
-
-
-
0.2
8
A
kV
I
F
= 1 A; V
R
= 30 V; dI
F
/dt = 100 A/μs;
T
j
= 25 °C; ramp recovery; see
Figure 5
I
R
= 1 A; I
F
= 0.5 A; T
j
= 25 °C; measured
at reverse current = 0.25 A; step
recovery; see
Figure 6
-
20
25
ns
-
10
20
ns
Static characteristics
V
F
forward voltage
I
F
= 8 A; T
j
= 150 °C; see
Figure 4
-
0.72
0.85
V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BYV32G-200 | Dual ultrafast power diode |
| BYV34-400 | Dual ultrafast power diode |
| BYV34-600 | Dual ultrafast power diode |
| BYV34G-600 | Dual ultrafast power diode |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| BYV32EBSERIES | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Rectifier diodes ultrafast. rugged |
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