- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄357631 > BZD27-C6V2P/G2 (VISHAY SEMICONDUCTORS) 6.2 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB PDF資料下載
參數資料
| 型號： | BZD27-C6V2P/G2 |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 6.2 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB |
| 封裝： | PLASTIC, SMF, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | BZD27-C6V2P/G2 |
BZD27 Series
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
Document Number 88311
06-May-02
www.vishay.com
1
New Product
Zener Diodes
V
Z
Range
3.6 to 200V
TVS V
WM
Range
6.2 to 160V
Power Dissipation
2.3W
Patented
0.05 - 0.30
1.6
1.2
1.2
Detail
Z
enlarged
0.00 – 0.10
Top View
1.0
±
0.2
1.8
±
0.1
2.8
±
0.1
0.98
±
0.1
3.7
±
0.2
0.60
±
0.25
5
°
5
°
Z
Cathode Band
Features
Silicon Planar Power Zener Diodes.
Low profile surface-mount package.
Zener and TVS specification.
DO-219AB (SMF)
Mechanical Data
Case:
JEDEC DO-219 Plastic Case
Weight:
approx. 0.01g
Packaging codes-options:
G1-10K per 13” reel (8mm tape), 50K/box
G2-3K per 7” reel (8mm tape), 30K/box
Dimensions in millimeters
Mounting Pad Layout
Maximum Ratings and Thermal Characteristics
(T
A
= 25°C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Value
Unit
Power Dissipation at T
L
= 105°C
P
tot
2.3
W
Power Dissipation at T
A
= 25°C
P
tot
0.8
(1)
W
Non-repetitive peak pulse power dissipation
with 100
μ
s square pulse
(2)
P
ZSM
300
W
Non-repetitive peak pulse power dissipation
with 10/1000
μ
s waveform (BZ027-C7V5 to -C200)
(2)
P
RSM
150
W
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
(1)
R
θ
JA
188
°C/W
Thermal Resistance Junction to Lead
R
θ
JL
30
°C/W
Maximum Junction Temperature
T
j
175
°C
Storage Temperature Range
T
S
–65 to +175
°C
Notes:
(1) Mounted on epoxy-glass PCB with 3 x 3mm Cu pads (
≥
40
μ
m thick)
(2) T
J
= 25°C prior to surge
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BZG03C12-TR | 12 V, 1.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AC |
| BZG03C33-TR3 | 33 V, 1.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AC |
| BZG05C5V6 | 5.6 V, 1.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AC |
| BZH02/A0620/02 | 6A, 250VAC, MALE, MAINS POWER CONNECTOR, SOLDER |
| BZH01/Z0000/01 | MALE, MAINS POWER CONNECTOR, SOLDER |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BZD27C6V2PGS08 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Zener Diodes with Surge Current Specification |
| BZD27C6V2P-GS08 | 功能描述:穩壓二極管 6.2 Volt 0.8 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| BZD27C6V2P-GS18 | 功能描述:穩壓二極管 6.2 Volt 0.8 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| BZD27C6V2P-HE3-08 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述: |
| BZD27C6V2P-HE3-18 | 功能描述:Zener Diode 6.2V 800mW Surface Mount DO-219AB (SMF) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:- 功率 - 最大值:800mW 阻抗（最大值）（Zzt）:3 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-219AB 供應商器件封裝:DO-219AB（SMF） 標準包裝:10,000 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。