- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄384166 > BZD27C100P (Vishay Intertechnology,Inc.) surface mount silicon Zener diodes PDF資料下載
參數資料
| 型號： | BZD27C100P |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | surface mount silicon Zener diodes |
| 中文描述： | 表面貼裝硅穩壓二極管 |
| 文件頁數： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 238K |
| 代理商： | BZD27C100P |
BZD27C3V6P to BZD27C200P
Document Number 85810
Rev. 1.8, 13-Apr-05
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
1
17249
Zener Diodes with Surge Current Specification
Features
Sillicon Planar Zener Diodes
Low profile surface-mount package
Zener and surge current specification
Low leakage current
Excellent stability
High temperature soldering:
260 °C/10 sec. at terminals
Lead (Pb)-free component
Component in accordance to RoHS 2002/95/EC
and WEEE 2002/96/EC
Mechanical Data
Case:
JEDEC DO-219AB (SMF
) Plastic case
Weight:
approx. 15 mg
Packaging codes/options:
GS18 / 10 k per 13 " reel, (8 mm tape), 50 k/box
GS08 / 3 k per 7 " reel, (8 mm tape), 30 k/box
Absolute Maximum Ratings
T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Power dissipation
1)
Mounted on epoxy-glass PCB with 3 x 3 mm Cu pads (
≥
40
μ
m thick)
2)
T
J
= 25 °C prior to surge
Thermal Characteristics
T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Thermal resistance junction to ambient air
1)
Thermal resistance junction to lead
1)
Mounted on epoxy-glass PCB with 3 x 3 mm Cu pads (
≥
40
μ
m thick)
Electrical Characteristics
T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Forward voltage
Test condition
Symbol
P
tot
P
tot
P
ZSM
Value
2.3
Unit
W
T
L
= 80 °C
T
A
= 25 °C
100
μ
s square pulse
2)
0.8
1)
300
W
Non-repetitive peak pulse power
dissipation
W
10/1000
μ
s waveform (BZD27-
C7V5P to BZD27-C100P)
2)
10/1000
μ
s waveform (BZD27-
C110P to BZD27-C200P)
2)
P
RSM
150
W
P
RSM
100
W
Test condition
Symbol
R
thJA
R
thJL
T
j
T
S
Value
180
Unit
K/W
30
K/W
Maximum junction temperature
150
°C
Storage temperature range
- 55 to + 150
°C
Test condition
Symbol
V
F
Min
Typ.
Max
1.2
Unit
V
I
F
= 0.2 A
e3
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BZD27C10P | surface mount silicon Zener diodes |
| BZD27C110P | surface mount silicon Zener diodes |
| BZD27C11P | surface mount silicon Zener diodes |
| BZD27C91P | surface mount silicon Zener diodes |
| BZD27C9V1P | surface mount silicon Zener diodes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BZD27-C100P | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Zener Diodes |
| BZD27C100P M2G | 功能描述:DIODE ZENER 100V 1W SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:100V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:200 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 75V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-219AB 供應商器件封裝:Sub SMA 標準包裝:7,500 |
| BZD27C100P MHG | 功能描述:DIODE ZENER 100V 1W SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:100V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:200 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 75V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-219AB 供應商器件封裝:Sub SMA 標準包裝:10,000 |
| BZD27C100P MQG | 功能描述:DIODE ZENER 100V 1W SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:100V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:200 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 75V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-219AB 供應商器件封裝:Sub SMA 標準包裝:10,000 |
| BZD27C100P MTG | 功能描述:DIODE ZENER 100V 1W SUB SMA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:100V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:200 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 75V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-219AB 供應商器件封裝:Sub SMA 標準包裝:7,500 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。