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參數資料
| 型號： | BZG05C3V3 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Silicon Z-Diodes |
| 中文描述： | 硅的Z -二極管 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | BZG05C3V3 |
BZG05C...
Vishay Telefunken
Rev. 6, 01-Apr-99
1 (4)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85595
Silicon Z–Diodes
Features
Glass passivated junction
High reliability
Voltage range 3.3V to 100V
Fits onto 5 mm SMD footpads
Wave and reflow solderable
Applications
Voltage stabilization
15 811
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25 C
Parameter
Power dissipation
Test Conditions
R
thJA
<30K/W, T
amb
=60 C
R
thJA
<100K/W, T
amb
=25 C
t
p
=100 s sq.pulse, T
j
=25 C
prior to surge
Type
Symbol
P
V
P
V
P
ZSM
Value
3
1.25
60
Unit
W
W
W
Non repetitive peak surge power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
T
j
150
C
C
T
stg
–65...+150
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25 C
Parameter
Junction lead
Junction ambient
mounted on epoxy–glass hard tissue, Fig. 1a
mounted on epoxy–glass hard tissue, Fig. 1b
mounted on Al–oxid–ceramic (Al
2
O
3
), Fig. 1b
Test Conditions
Symbol
R
thJL
R
thJA
R
thJA
R
thJA
Value
30
150
125
100
Unit
K/W
K/W
K/W
K/W
Electrical Characteristics
T
j
= 25 C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
I
F
=0.2A
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.2
Unit
V
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