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參數資料
| 型號： | BZM55B |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
| 中文描述： | 硅外延平面的Z -二極管 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 82K |
| 代理商： | BZM55B |
BZM55B...
Vishay Telefunken
Rev. 3, 01-Apr-99
1 (6)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85597
Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes
Features
Saving space
Hermetic sealed parts
Fits onto SOD 323 / SOT 23 footprints
Electrical data identical with the devices
BZT55B... / TZMB...
Very sharp reverse characteristic
Low reverse current level
Very high stability
Low noise
Available with tighter tolerances
V
Z
–tolerance
±
2%
Applications
Voltage stabilization
96 12315
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25 C
Parameter
Power dissipation
Z–current
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
R
thJA
300K/W
Type
Symbol
P
V
I
Z
T
j
T
stg
Value
500
P
V
/V
Z
175
–65...+175
Unit
mW
mA
C
C
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25 C
Parameter
Junction ambient
mounted on epoxy–glass hard tissue, Fig. 1
Junction tie point
35 m copper clad, 0.9 mm
2
copper area per electrode
Test Conditions
Symbol
R
thJA
R
thJL
Value
500
300
Unit
K/W
K/W
Electrical Characteristics
T
j
= 25 C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
I
F
=200mA
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.5
Unit
V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| BZM55B10_ R2 _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| BZM55B10-TR | 功能描述:穩壓二極管 10 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
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