型號: | BZT03D12 |
廠商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
元件分類: | TVS-瞬態抑制二極管 |
英文描述: | Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors |
中文描述: | 硅的Z -二極管和瞬態電壓抑制器 |
文件頁數: | 1/5頁 |
文件大?。?/td> | 67K |
代理商: | BZT03D12 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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BZT03D120 | Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors |
BZT03D13 | Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors |
BZT03D130 | Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors |
BZT03D15 | Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors |
BZT03D150 | Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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BZT03D120 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors |
BZT03D120-TAP | 功能描述:穩壓二極管 120 Volt 600W 10% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
BZT03D120-TR | 功能描述:穩壓二極管 120 Volt 600W 10% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
BZT03D12-TAP | 功能描述:穩壓二極管 12 Volt 600W 10% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
BZT03D12-TR | 功能描述:穩壓二極管 12 Volt 600W 10% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |