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參數資料
| 型號： | BZT03D200 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 元件分類： | TVS-瞬態抑制二極管 |
| 英文描述： | Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors |
| 中文描述： | 硅的Z -二極管和瞬態電壓抑制器 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 67K |
| 代理商： | BZT03D200 |
BZT03D...
Vishay Telefunken
Rev. 2, 01-Apr-99
1 (5)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85600
Silicon Z–Diodes and Transient Voltage Suppressors
Features
Glass passivated junction
Hermetically sealed package
Clamping time in picoseconds
Applications
Medium power voltage regulators and
medium power transient suppression circuits
94 9539
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25 C
Parameter
Power dissipation
Test Conditions
l=10mm, T
L
=25 C
T
amb
=25 C
Type
Symbol
P
V
P
V
P
ZRM
P
ZSM
T
j
T
stg
Value
3.25
1.3
10
600
175
–65...+175
Unit
W
W
W
W
C
C
Repetitive peak reverse power dissipation
Non repetitive peak surge power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
t
p
=100 s, T
j
=25 C
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25 C
Parameter
Junction ambient
l=10mm, T
L
=constant
on PC board with spacing 25mm
Test Conditions
Symbol
R
thJA
R
thJA
Value
46
100
Unit
K/W
K/W
Electrical Characteristics
T
j
= 25 C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
I
F
=0.5A
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.2
Unit
V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| BZT03D200-TR | 功能描述:穩壓二極管 200 Volt 600W 10% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| BZT03D20-TAP | 功能描述:穩壓二極管 20 Volt 600W 10% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| BZT03D20-TR | 功能描述:穩壓二極管 20 Volt 600W 10% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
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