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參數(shù)資料
型號(hào): BZW03-C68/33112
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制
英文描述: 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
文件頁數(shù): 1/7頁
文件大小: 213K
代理商: BZW03-C68/33112
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PDF描述
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參數(shù)描述
BZW03C68-TAP 功能描述:穩(wěn)壓二極管 68 Volt 20W 6% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZW03C68-TR 功能描述:穩(wěn)壓二極管 68 Volt 20W 6% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZW03C6V8 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Zener Diodes with Surge Current Specification
BZW03C6V8-TAP 功能描述:穩(wěn)壓二極管 6.8 Volt 20W 6% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZW03C6V8-TR 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:ZENER DIODE SOD64-E2
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