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參數資料
| 型號： | BZW06-28(33V) |
| 英文描述： | Monolithic VR for chipset and DDR2/3 supply for ultra-mobile PC (UMPC) applications |
| 中文描述： | 瞬態電壓抑制器（TVS） |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 143K |
| 代理商： | BZW06-28(33V) |
1
) Non-repetitive current pulse see curve I
PPM
= f (t
r
)
Hchstzulssiger Spitzenwert eines einmaligen Strom-Impulses, siehe Kurve I
PPM
= f (t
r
)
2
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschludrhte in 10 mm Abstand von Gehuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
3
) Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden
07.01.2003
1
BZW 06-5V8 ... BZW 06-376B
Unidirectional and bidirectional
Transient Voltage Suppressor Diodes
Unidirektionale und bidirektionale
Spannungs-Begrenzer-Dioden
Peak pulse power dissipation
Impuls-Verlustleistung
600 W
Maximum stand-off voltage
Maximale Sperrspannung
5.8...376 V
Plastic case – Kunststoffgehuse
DO-15 (DO-204AC)
Weight approx. – Gewicht ca.
0.4 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions / Mae in mm
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
see page 16
siehe Seite 16
For bidirectional types (suffix “B”), electrical characteristics apply in both directions.
Für bidirektionale Dioden (Suffix “B”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen.
Maximum ratings and Characteristics
Kenn- und Grenzwerte
Peak pulse power dissipation (10/1000 s waveform)
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 s)
T
A
= 25 C
P
PPM
600 W
1
)
Steady state power dissipation
Verlustleistung im Dauerbetrieb
T
A
= 25 C
P
M(AV)
5 W
2
)
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave
Stostrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle
T
A
= 25 C
I
FSM
100 A
3
)
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
– 50…+175 C
– 50…+175 C
Max. instantaneous forward voltage
Augenblickswert der Durchlaspannung
I
F
= 50 A
V
BR
200 V
V
BR
> 200 V
V
F
V
F
< 3.0 V
3
)
< 6.5 V
3
)
Thermal resistance junction to ambient air
Wrmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
R
thA
< 45 K/W
2
)
Thermal resistance junction to lead
Wrmewiderstand Sperrschicht – Anschludraht
R
thL
< 15 K/W
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BZW06-28B | Monolithic VR for chipset and DDR2/3 supply for ultra-mobile PC (UMPC) applications |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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