- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄382878 > BZW50-27B (意法半導體) TRANSIL Diode for High Overvoltage Protection(5000W、用于過電壓保護的TRANSIL二極管(雙向)) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | BZW50-27B |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | TRANSIL Diode for High Overvoltage Protection(5000W、用于過電壓保護的TRANSIL二極管(雙向)) |
| 中文描述： | TRANSIL二極管（5000瓦，用于過電壓保護的TRANSIL二極管（雙向），高過電壓保護） |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 77K |
| 代理商： | BZW50-27B |
BZW50-10,B/180,B
TRANSIL
TM
PEAK PULSEPOWER : 5000W (10/1000
μ
s)
STAND-OFF VOLTAGERANGE:
From10V to 180V
UNI ANDBIDIRECTIONALTYPES
LOW CLAMPINGFACTOR
FASTRESPONSETIME
UL RECOGNIZED
FEATURES
AG
Symbol
Parameter
Value
Unit
P
PP
Peakpulse power dissipation (seenote1)
Tj initial= T
amb
5000
W
P
Power dissipationon infiniteheatsink
T
amb
= 75
°
C
6.5
W
I
FSM
Nonrepetitivesurgepeak forwardcurrent
forunidirectionaltypes
tp = 10ms
Tj initial= T
amb
500
A
T
stg
T
j
Storagetemperaturerange
Maximumjunction temperature
- 65 to+ 175
175
°
C
°
C
T
L
Maximumlead temperaturefor solderingduring 10s at 5mm
fromcase
230
°
C
Note 1
: Fora surge greater than the maximum values,the diode will fail in short-circuit.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
amb
= 25
°
C)
DESCRIPTION
Transildiodes provide high overvoltageprotection
by clamping action. Their instantaneousresponse
to transientovervoltagesmakesthem particularly
suited to protect voltage sensitive devices such
as MOS Technology and low voltage supplied
IC’s.
January 1998Ed : 2
Symbol
Parameter
Value
Unit
°
C/W
°
C/W
R
th (j-l)
Junctionto leads
15
R
th (j-a)
Junctionto ambienton printedcircuit.
L
lead
= 10 mm
65
THERMALRESISTANCES
1/5
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BZW04-13 | TRANSIL Diode for High Overvoltage Protection(400W、用于過電壓保護的TRANSIL二極管(單向)) |
| BZW50-68 | TRANSIL Diode for High Overvoltage Protection(5000W、用于過電壓保護的TRANSIL二極管(單向)) |
| BZW50-82 | TRANSIL Diode for High Overvoltage Protection(5000W、用于過電壓保護的TRANSIL二極管(單向)) |
| BZW50-33B | TRANSIL Diode for High Overvoltage Protection(5000W、用于過電壓保護的TRANSIL二極管(雙向)) |
| BZW50-39B | TRANSIL Diode for High Overvoltage Protection(5000W、用于過電壓保護的TRANSIL二極管(雙向)) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BZW50-27RL | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 5000 W (10/1000 ) 10V to 180V Transil RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| BZW50-33 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 5000W 33V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| BZW50-33B | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 5000W 33V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| BZW50-33BRL | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 5000W 33V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| BZW50-33RL | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態電壓抑制器 5000W 33V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。