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參數資料
| 型號： | BZW50-68B |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | TRANSIL Diode for High Overvoltage Protection(5000W、用于過電壓保護的TRANSIL二極管(雙向)) |
| 中文描述： | TRANSIL二極管（5000瓦，用于過電壓保護的TRANSIL二極管（雙向），高過電壓保護） |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 77K |
| 代理商： | BZW50-68B |
BZW50-10,B/180,B
TRANSIL
TM
PEAK PULSEPOWER : 5000W (10/1000
μ
s)
STAND-OFF VOLTAGERANGE:
From10V to 180V
UNI ANDBIDIRECTIONALTYPES
LOW CLAMPINGFACTOR
FASTRESPONSETIME
UL RECOGNIZED
FEATURES
AG
Symbol
Parameter
Value
Unit
P
PP
Peakpulse power dissipation (seenote1)
Tj initial= T
amb
5000
W
P
Power dissipationon infiniteheatsink
T
amb
= 75
°
C
6.5
W
I
FSM
Nonrepetitivesurgepeak forwardcurrent
forunidirectionaltypes
tp = 10ms
Tj initial= T
amb
500
A
T
stg
T
j
Storagetemperaturerange
Maximumjunction temperature
- 65 to+ 175
175
°
C
°
C
T
L
Maximumlead temperaturefor solderingduring 10s at 5mm
fromcase
230
°
C
Note 1
: Fora surge greater than the maximum values,the diode will fail in short-circuit.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
amb
= 25
°
C)
DESCRIPTION
Transildiodes provide high overvoltageprotection
by clamping action. Their instantaneousresponse
to transientovervoltagesmakesthem particularly
suited to protect voltage sensitive devices such
as MOS Technology and low voltage supplied
IC’s.
January 1998Ed : 2
Symbol
Parameter
Value
Unit
°
C/W
°
C/W
R
th (j-l)
Junctionto leads
15
R
th (j-a)
Junctionto ambienton printedcircuit.
L
lead
= 10 mm
65
THERMALRESISTANCES
1/5
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