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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BZX559V1 |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | surface mount silicon Zener diodes |
| 中文描述： | 表面貼裝硅穩(wěn)壓二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 69K |
| 代理商： | BZX559V1 |
BZX55B...
Vishay Telefunken
Rev. 3, 01-Apr-99
1 (6)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85604
Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes
Features
Very sharp reverse characteristic
Low reverse current level
Low noise
Very high stability
Available with tighter tolerances
V
Z
–tolerance
±
2%
Applications
Voltage stabilization
94 9367
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25 C
Parameter
Power dissipation
Z–current
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
l=4mm, T
L
=25 C
Type
Symbol
P
V
I
Z
T
j
T
stg
Value
500
P
V
/V
Z
175
–65...+175
Unit
mW
mA
C
C
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25 C
Parameter
Junction ambient
Test Conditions
Symbol
R
thJA
Value
300
Unit
K/W
l=4mm, T
L
=constant
Electrical Characteristics
T
j
= 25 C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
I
F
=100mA
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.5
Unit
V
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| BZX55A11-TAP | 功能描述:Zener Diode 11V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101 包裝:散裝 零件狀態(tài):上次購買時(shí)間 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:11V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8.2V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 |
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