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參數(shù)資料
| 型號： | BZX55C |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Silicon Epitaxial Planar Z-Diode(功率損耗500mW的硅外延平面型齊納二極管) |
| 中文描述： | 硅外延平面穩(wěn)壓二極管（500mW的功率損耗的硅外延平面型齊納二極管） |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | BZX55C |
BZX55C...
Vishay Telefunken
Rev. 4, 01-Apr-99
1 (6)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85605
Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes
Features
Very sharp reverse characteristic
Low reverse current level
Very high stability
Low noise
Available with tighter tolerances
Applications
Voltage stabilization
94 9367
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25 C
Parameter
Power dissipation
Z–current
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
l=4mm, T
L
=25 C
Type
Symbol
P
V
I
Z
T
j
T
stg
Value
500
P
V
/V
Z
175
–65...+175
Unit
mW
mA
C
C
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25 C
Parameter
Junction ambient
Test Conditions
Symbol
R
thJA
Value
300
Unit
K/W
l=4mm, T
L
=constant
Electrical Characteristics
T
j
= 25 C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
I
F
=200mA
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.5
Unit
V
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