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參數(shù)資料
型號: BZX79-B30153
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 齊納二極管
英文描述: 30 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
文件頁數(shù): 1/8頁
文件大小: 289K
代理商: BZX79-B30153
相關PDF資料
PDF描述
BZX79-B24116 24 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
BZX79-A22133 22 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
BZW03-C13/33113 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
BZW03-C9V1/20113 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
BZW03-C9V1/41113 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BZX79B33 功能描述:穩(wěn)壓二極管 33 Volt 500mW 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZX79-B33 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Voltage regulator diodes
BZX79B33 A0G 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):33V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:23.1mA @ 50mV 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000
BZX79-B33 AMO 功能描述:穩(wěn)壓二極管 DIODE ZENER 2 PCT AMMO LARGE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZX79B33 R0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:DO-35;ZENER 500MW 33V
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