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參數資料
| 型號： | BZX84C2V4-SOT-23 |
| 廠商： | 江蘇長電科技股份有限公司 |
| 英文描述： | Plastic-Encapsulate Diode |
| 中文描述： | 塑料封裝二極管 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 74K |
| 代理商： | BZX84C2V4-SOT-23 |
DS18001 Rev. P-2
1 of 3
BZX84C2V4 - BZX84C51
BZX84C2V4 - BZX84C51
Features
Planar Die Construction
350mW Power Dissipation
Zener Voltages from 2.4V - 51V
Ideally Suited for Automated Assembly
Processes
A
E
J
L
TOP VIEW
M
B
C
H
G
D
K
SOT-23
Dim
Min
Max
A
0.37
0.51
B
1.19
1.40
C
2.10
2.50
D
0.89
1.05
E
0.45
0.61
G
1.78
2.05
H
2.65
3.05
J
0.013
0.15
K
0.89
1.10
L
0.45
0.61
M
0.076
0.178
All Dimensions in mm
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Forward Voltage
@ I
F
= 10mA
V
F
0.9
V
Power Dissipation (Note 1)
P
d
350
mW
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)
R
JA
357
K/W
Operating and Storage Temperature Range
T
j,
T
STG
-65 to +150
C
Notes:
1. Valid provided that device terminals are kept at ambient temperature.
2. Tested with pulses, 300 s pulse width, period = 5ms.
3. f = 1KHz.
Maximum Ratings
@ T
A
= 25 C unless otherwise specified
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SO
T
-23 Plastic-Encapsulate
Diode
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BZX84C36 | Plastic-Encapsulate Diode |
| BZX84C39 | Plastic-Encapsulate Diode |
| BZX84C43 | Plastic-Encapsulate Diode |
| BZX84C3V0T | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| BZX84C3V3S-7-F | DUAL 200mW SURFACE MOUNT ZENER DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BZX84-C2V4T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Diode Zener Single 2.4V 5% 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
| BZX84C2V4T-7 | 功能描述:穩壓二極管 150MW 2.4V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| BZX84C2V4T-7-F | 功能描述:穩壓二極管 150MW 2.4V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| BZX84C2V4-TP | 功能描述:DIODE ZENER 350MW 2.4V SOT23 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/齊納 系列:- 標準包裝:1 系列:- 電壓 - 齊納（標稱）(Vz):36V 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:900mV @ 10mA 電流 - 在 Vr 時反向漏電:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗（最大）(Zzt):70 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商設備封裝:SOT-323 包裝:剪切帶 (CT) 工作溫度:-65°C ~ 150°C 產品目錄頁面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT |
| BZX84C2V4TR | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:2.4 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
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