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C2M1000170D.

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  • 制造商
  • Cree
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 1.7KV 4.9A TO-
  • 制造商
  • Cree
  • 功能描述
  • MOSFET, N-CH, 1.7KV, 4.9A, TO-247-3
C2M1000170D. 技術(shù)參數(shù)
  • C2M1000170D 功能描述:MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-FET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):1700V(1.7kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.9A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.1 歐姆 @ 2A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):13nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):191pF @ 1000V 功率 - 最大值:69W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 C2M0280120D 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-FET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):370 毫歐 @ 6A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1.25mA(標(biāo)準(zhǔn)) 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):20.4nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):259pF @ 1000V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 C2M0160120D 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 17.7A TO-247 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-FET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):17.7A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):196 毫歐 @ 10A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 500μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):32.6nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):527pF @ 800V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 C2M0080120D 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247 制造商:cree/wolfspeed 系列:C2M? 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):36A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):98 毫歐 @ 20A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):62nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):950pF @ 1000V 功率 - 最大值:192W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 C2M0045170D 功能描述:MOSFET NCH 1.7KV 72A TO247 制造商:cree/wolfspeed 系列:C2M? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):1700V(1.7kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):72A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 50A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 18mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):188nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3672pF @ 1kV 功率 - 最大值:520W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 C2PXG-1406G C2PXG-1406M C2PXG-1418G C2PXG-1418M C2PXG-1436G C2PXG-1436M C2PXG-1606G C2PXG-1606M C2PXG-1618G C2PXG-1618M C2PXG-1636G C2PXG-1636M C2PXG-2406G C2PXG-2406M C2PXG-2418G C2PXG-2418M C2PXG-2436G C2PXG-2436M
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