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CEFI8832

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CEFI8832 技術參數

CEFC305-G 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.7V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AB，SMC 供應商器件封裝:DO-214AB，（SMC）工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 CEFC304-G 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AB，SMC 供應商器件封裝:DO-214AB，（SMC）工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 CEFC303-G 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AB，SMC 供應商器件封裝:DO-214AB，（SMC）工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 CEFB205-G 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.25V @ 2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應商器件封裝:DO-214AA（SMB）工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 CEFB204-G 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應商器件封裝:DO-214AA（SMB）工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 CEG1-1-51-30.0-A-91-V CEG1-1-52-8.00-Q-91-V CEG1-1REC4-31861-1-V CEG1-1REC4-31968-1-V CEG1-1REC4-33399-03-V CEG1-1REC4-33399-05-V CEG1-1REC4-33399-06-V CEG1-1REC4-33399-10-V CEG1-1REC4-33399-252-V CEG1-1REC4-35302-1-V CEG1-1REC4-51-5.00-01-V CEG1-1REC5-35948-30-V CEG1-1REC5-35948-4-V CEG1-1REC5-35949-10-V CEG1-1REC5-35949-15-V CEG1-1REC5-35949-25-V CEG1-30583-2-V CEG1-30583-3-V