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CEO60R820CCB011-TA2(820MHZ)

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CEO60R820CCB011-TA2(820MHZ) 技術參數

CEO100M200 功能描述:FUSE CRTRDGE 100A 415VAC CYLINDR 制造商:eaton 系列:CEO 包裝:散裝零件狀態:過期保險絲類型:盒額定電流:100A 額定電壓 - AC:415V 額定電壓 - DC:- 響應時間:- 應用:電氣，工業，電機保護特性:- 類別:- 認可:- 工作溫度:- 不同額定電壓時的熔斷能力:80kA 安裝類型:螺栓安裝封裝/外殼:圓柱形，扁平端子（螺栓）大小/尺寸:1.220" 直徑 x 1.850" 長（31.00mm x 47.00mm）融斷 I2t:120000 DC 冷態電阻:- 標準包裝:10 CENW92 功能描述:TRANS PNP 300V 0.5A TO237 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:2.5W 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-237AA 供應商器件封裝:TO-237 標準包裝:2,000 CENW42 功能描述:TRANS NPN 300V 0.5A TO237 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 30mA，10V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-237AA 供應商器件封裝:TO-237 標準包裝:2,000 CEN-U95 功能描述:TRANS PNP DARL 40V 2A TO-202 制造商:central semiconductor corp 標準包裝:500 CEN-U57 功能描述:TRANS PNP 100V 2A TO-202 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:1.75W 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-202 長接片供應商器件封裝:TO-202 標準包裝:500 CEP-1123 CEP-1126 CEP-1130 CEP-1136 CEP-1141 CEP-1152 CEP-1153 CEP-1160 CEP-1162 CEP-1172 CEP-1173 CEP123NP-1R2MC CEP123NP-2R0MC CEP123NP-3R2MC CEP123NP-4R6MC CEP123NP-6R3MC CEP123NP-8R0MC CEP125-0R3NC-UD