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CIG22B1R0MNE

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

CIG22B1R0MNE
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：駱小姐
電話：18124020586
地址：深圳市龍崗區雅寶路1號星河world， A棟2203A
30286
Samsung Electro-Mechanics
1008 (2520 Metric)
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

CIG22B1R0MNE
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
6000
Samsung Electro-Mechanics
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百正品

CIG22B1R0MNE
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
聯系人：陳小姐
電話：13428937514
地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
5870
Samsung Electro-Mechanics
2016+
-
公司現貨！只做原裝！

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制造商
Samsung Electro-Mechanics
功能描述
Ind Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 1.2A 1008 Embossed T/R
制造商
Samsung Electro-Mechanics
功能描述
POWER INDUCTOR,1008,1.0UH,20%,1.20A - Tape and Reel
制造商
SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS AMERICA, INC
功能描述
INDUCTOR POWER 1UH 2.0A 1008

CIG22B1R0MNE 技術參數

CIG22B1R0MAE 功能描述:FIXED IND 1UH 1.3A 110 MOHM SMD 制造商:samsung electro-mechanics 系列:CIG22B_MAE 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售類型:多層材料 - 磁芯:- 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:1.3A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:110 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 特性:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）供應商器件封裝:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.032"（0.80mm）標準包裝:3,000 CIG21W4R7MNE 功能描述:4.7μH Shielded Multilayer Inductor 650mA 300 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG21W 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:多層材料 - 磁芯:- 電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:650mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:300 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 CIG21W3R3MNE 功能描述:3.3μH Shielded Multilayer Inductor 730mA 250 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG21W 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產類型:多層材料 - 磁芯:- 電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:730mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:250 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 CIG21W2R2MNE 功能描述:2.2μH Shielded Multilayer Inductor 810mA 200 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG21W 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:多層材料 - 磁芯:- 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:810mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:200 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 CIG21W1R5MNE 功能描述:1.5μH Shielded Multilayer Inductor 960mA 150 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG21W 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效類型:多層材料 - 磁芯:- 電感:1.5μH 容差:±25% 額定電流:960mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:150 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:3,000 CIG22BR33MNE CIG22BR47MAE CIG22BR47MNE CIG22BR56MAE CIG22BR56MNE CIG22E1R0MAE CIG22E1R0MNE CIG22E1R0SNE CIG22E1R5MNE CIG22E2R2MNE CIG22E3R3MNE CIG22E4R7MNE CIG22ER47MNE CIG22ER50SNE CIG22H1R0MAE CIG22H1R0MNE CIG22H1R2MAE CIG22H1R2MNE