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CIG22W3R3MNE

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CIG22W3R3MNE PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

CIG22W3R3MNE 技術參數

CIG22LR47MNE 功能描述:470nH Shielded Multilayer Inductor 1.8A 40 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22L 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產類型:多層材料 - 磁芯:- 電感:470nH 容差:±20% 額定電流:1.8A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:40 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 CIG22L6R8MNE 功能描述:6.8μH Shielded Multilayer Inductor 800mA 203 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22L 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:多層材料 - 磁芯:- 電感:6.8μH 容差:±20% 額定電流:800mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:203 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 CIG22L4R7MNE 功能描述:4.7μH Shielded Multilayer Inductor 1.1A 110 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22L 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:多層材料 - 磁芯:- 電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:1.1A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:110 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 CIG22L3R3MNE 功能描述:3.3μH Shielded Multilayer Inductor 1.2A 100 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22L 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:多層材料 - 磁芯:- 電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:1.2A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:100 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 CIG22L2R2MNE 功能描述:2.2μH Shielded Multilayer Inductor 1.3A 80 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22L 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:多層材料 - 磁芯:- 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:1.3A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:80 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 CIGT201208EHR47MNE CIGT201208EM1R0MNE CIGT201208EM1R0SNE CIGT201208EMR47MNE CIGT201208UM1R0MNE CIGT201208UM1R5MNE CIGT201210EM1R0MNE CIGT201210UH1R0MNE CIGT201210UH1R5MNE CIGT201210UH2R2MNE CIGT201210UHR24MNE CIGT201210UHR33MNE CIGT201210UHR47MNE CIGT201210UHR47SNE CIGT201210UHR68MNE CIGT201210UM1R0MNE CIGT201210UM1R5MNE CIGT201210UMR16MNE