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CJD50-TR13

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CJD50-TR13 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

CJD50-TR13 技術參數

CJD50 TR13 功能描述:TRANS NPN 500A 1A DPAK 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 200mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:200μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 300mA，10V 功率 - 最大值:1.56W 頻率 - 躍遷:10MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 CJD47 TR13 功能描述:TRANS NPN 350V 1A DPAK 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:250V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 200mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:200μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 300mA，10V 功率 - 最大值:1.56W 頻率 - 躍遷:10MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 CJD45H11 TR13 功能描述:TRANS PNP 80V 8A DPAK 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 400mA，8A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 4A，1V 功率 - 最大值:1.75W 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 CJD44H11 TR13 功能描述:TRANS NPN 80V 8A DPAK 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 400mA，8A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 4A，1V 功率 - 最大值:1.75W 頻率 - 躍遷:60MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 CJD42C TR13 功能描述:TRANS PNP 100V 6A DPAK 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:6A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 600mA，6A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:15 @ 3A，4V 功率 - 最大值:1.75W 頻率 - 躍遷:3MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 CJD5E88TGIW CJD5E88TGOR CJD5E88TGR CJD5E88TGRD CJD5E88TGWH CJD5E88TGYL CJD5E88TOR CJD5E88TRD CJD688TGAW CJD688TGBL CJD688TGEI CJD688TGGR CJD688TGIG CJD688TGIW CJD688TGOR CJD688TGRD CJD688TGVL CJD688TGWH