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CMLDM8120GTR-LF

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

CMLDM8120GTR-LF
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
CENTRAL
SC70-6
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

CMLDM8120GTR-LF
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
15000
CENTRAL
SC70-6
0851pb
-
全新原裝現(xiàn)貨

CMLDM8120GTR-LF
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
聯(lián)系人：苗鳳軍
電話：17623594308
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3172
CENTRAL
SC70-6
2222+
-
十年專營，供應原裝正品！熱賣現(xiàn)貨！

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CMLDM8120GTR-LF PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

CMLDM8120GTR-LF 技術(shù)參數(shù)

CMLDM8120G TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:860mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 950mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.56nC(4.5V) 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:200pF @ 16V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應商器件封裝:SOT-563 標準包裝:1 CMLDM8120 TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:860mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 950mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.56nC(4.5V) 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:200pF @ 16V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應商器件封裝:SOT-563 標準包裝:1 CMLDM8005 TR 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.65A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:650mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:360 毫歐 @ 350mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:100pF @ 16V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應商器件封裝:SOT-563 標準包裝:1 CMLDM8002AG TR 功能描述:MOSFET 2P-CH 50V 0.28A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:280mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:70pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應商器件封裝:SOT-563 標準包裝:1 CMLDM7585 TR 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 0.65A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:650mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:230 毫歐 @ 600mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.58nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:100pF @ 16V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應商器件封裝:SOT-563 標準包裝:1 CMLHPB11-1RLS4-52-150.-1-01-V CMLHPB11-1RLS4-52-200.-1-01-V CMLHPB11-1RLS4-52-200.-A1-01-V CMLHPB11-1RLS4R-37028-200 CMLHPB11-1RLS4R-38186-175-V CMLHPB11-1RLS4R-38186-200-V CMLHPB11-1RS5-37738-200 CMLHPB11-2RLS5-39823-175-T CMLHPC111-1RLS4-32527-250 CMLHPK111-1REC5-33592-250 CMLHPK111-1RLS4-33518-1 CMLHPK111-1RLS5-52-250.-A-01-V CMLHPK111-1RS4-32924-225 CMLHPK111-38622-250-V CMLHPK111-38646-250-V CMLHPK11-1REC4-33767-200 CMLHPK11-1REC4-35051-200 CMLHPK11-1REC5-33230-175