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CMLE041B-2R2MS

配單專家企業名單
  • 型號
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  • 封裝
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  • 說明
  • 操作
  • CMLE041B-2R2MS
    CMLE041B-2R2MS

    CMLE041B-2R2MS

  • 汕頭市潮南區海特旺電子貿易有限公司
    汕頭市潮南區海特旺電子貿易有限公司

    聯系人:陳先生

    電話:0754-84492320

    地址:廣東省汕頭市潮南區陳店鎮溪口九斗花園旁

  • 69000

  • CYNTEC

  • SMD

  • 2020+

  • -
  • 進口全新原裝正品

  • CMLE041B-2R2MS
    CMLE041B-2R2MS

    CMLE041B-2R2MS

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • CYNTEC

  • SMD

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • CMLE041B-2R2MS
    CMLE041B-2R2MS

    CMLE041B-2R2MS

  • 深圳市寶芯創電子有限公司
    深圳市寶芯創電子有限公司

    聯系人:陳先生

    電話:0755-83228629

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1002號賽格廣場45層4503B★公司為一般納稅人,可開正規13%專

    資質:營業執照

  • 4000

  • CYNTEC

  • SMD

  • 17+

  • -
  • ★電感就找寶芯創/最誠實的電感磁珠搬運工...

  • CMLE041B-2R2MS
    CMLE041B-2R2MS

    CMLE041B-2R2MS

  • 深圳市興合盛科技發展有限公司
    深圳市興合盛科技發展有限公司

    聯系人:銷售經理:馬先生

    電話:0755-8335078918923859456

    地址:深圳市福田區華強北街道華航社區中航路都會B座10012M

    資質:營業執照

  • 26550

  • CYNTEC

  • 正品封裝

  • 23+

  • -
  • 正規商現貨供應

  • 1/1頁 40條/頁 共2條 
  • 1
CMLE041B-2R2MS PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
CMLE041B-2R2MS 技術參數
  • CMLDM8120G TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):860mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 950mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):3.56nC(4.5V) 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):200pF @ 16V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應商器件封裝:SOT-563 標準包裝:1 CMLDM8120 TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):860mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 950mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):3.56nC(4.5V) 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):200pF @ 16V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應商器件封裝:SOT-563 標準包裝:1 CMLDM8005 TR 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.65A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):650mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):360 毫歐 @ 350mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):100pF @ 16V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應商器件封裝:SOT-563 標準包裝:1 CMLDM8002AG TR 功能描述:MOSFET 2P-CH 50V 0.28A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):280mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.5 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.72nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):70pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應商器件封裝:SOT-563 標準包裝:1 CMLDM7585 TR 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 0.65A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):650mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):230 毫歐 @ 600mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.58nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):100pF @ 16V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應商器件封裝:SOT-563 標準包裝:1 CMLHPB11-1RLS4-52-150.-1-01-V CMLHPB11-1RLS4-52-200.-1-01-V CMLHPB11-1RLS4-52-200.-A1-01-V CMLHPB11-1RLS4R-37028-200 CMLHPB11-1RLS4R-38186-175-V CMLHPB11-1RLS4R-38186-200-V CMLHPB11-1RS5-37738-200 CMLHPB11-2RLS5-39823-175-T CMLHPC111-1RLS4-32527-250 CMLHPK111-1REC5-33592-250 CMLHPK111-1RLS4-33518-1 CMLHPK111-1RLS5-52-250.-A-01-V CMLHPK111-1RS4-32924-225 CMLHPK111-38622-250-V CMLHPK111-38646-250-V CMLHPK11-1REC4-33767-200 CMLHPK11-1REC4-35051-200 CMLHPK11-1REC5-33230-175
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